Transistor NPN RF / 175 MHz / 100 W / 12.5 Vcc / Alta Eficiencia / VHF-FM
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Transistor NPN RF / 175 MHz / 100 W / 12.5 Vcc / Alta Eficiencia / VHF-FM

Modelo: B2-160
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Características
  • Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
  • Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
  • Potencia de salida máxima de 100 vatios
  • Voltaje de colector de 12.5 VCC
  • Diseño robusto para alta eficiencia energética
  • Impedancia entrada 1.5 - j0.9 y carga 0.5 - j1.0
Descripción

Características Principales

  • Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
  • Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
  • Potencia de salida máxima de 100 vatios
  • Voltaje de colector de 12.5 VCC
  • Diseño robusto para alta eficiencia energética

Aplicaciones

  • Sistemas de comunicación VHF
  • Transmisores FM
  • Amplificadores de potencia RF
Especificaciones RF
  • Frecuencia: 175 MHz
  • Potencia de salida: 100 W
  • Relación de ganancia: 6.0 dB
  • Impedancia entrada: 1.5 - j 0.9 Ω
  • Impedancia carga: 0.5 - j 1.0 Ω
Especificaciones Eléctricas
  • Voltaje colector-base: 36 V
  • Voltaje colector-emisor: 18 V
  • Voltaje emisor-base: 4.0 V
  • Corriente colector: 20 A
  • Disipación de potencia: 270 W
Especificaciones Térmicas
  • Resistencia térmica (junto-case): 0.65 °C/W
  • Temperatura de unión: +200 °C
  • Temperatura almacenamiento: -65 a +150 °C
Conexiones y Empaque
  • Conexión colector: Perno
  • Conexión base: Cable
  • Conexión emisor: Cable
  • Tipo de empaque: Sellado con epoxi
Condiciones de Prueba
  • Frecuencia: 175 MHz
  • Voltaje de prueba: 12.5 VCC
  • Potencia de entrada: 25 W
  • Clase de operación: Clase C
Especificaciones
Peso
0.010 kg
Alto
1.00 cm
Largo
1.00 cm
Ancho
1.00 cm
Clave SAT
32111607